NPN at PNP
Ang Bipolar Junction Transistors, o higit pang mga simpleng BJTs, ay 3-terminal electronic semiconductor device. Ang mga ito ay karaniwang binubuo ng mga doped na materyales, at kadalasang ginagamit sa paglipat o pagpapalawak ng mga application.
Sa kakanyahan, mayroong isang pares ng PN junction diodes sa bawat bipolar transistor. Ang pares ay sumali, na bumubuo ng sandwich na naglalagay ng isang uri ng semiconductor sa pagitan ng parehong dalawang uri. Samakatuwid, mayroon lamang dalawang uri ng Bipolar Sandwich, at ang mga ito ay ang PNP at NPN.
Ang mga BJT ay kasalukuyang mga regulator. Higit sa lahat, ang halaga ng dumadaan pangunahing kasalukuyang ay kinokontrol sa pamamagitan ng pagpayag o paghihigpit ito, na kung saan ay hinahawakan ng, at alinsunod sa, isang mas maliit na kasalukuyang mula sa base. Ang mas maliit na kasalukuyang tinatawag na 'kasalukuyang pagkontrol', na kung saan ay ang 'base'. Ang kinokontrol na kasalukuyang (pangunahing) ay alinman sa mula sa 'kolektor' sa 'emitter', o vice-versa. Ito ay depende sa uri ng BJT, na alinman sa PNP o NPN.
Sa kasalukuyan, ang NPN bipolar transistors ay ang pinaka karaniwang ginagamit ng dalawang uri. Ang pangunahing dahilan nito, ay ang katangian ng NPN na mas mataas ang kakayahang magamit ng elektron kumpara sa butas na kadaliang kumilos sa mga semiconductor. Samakatuwid, pinapayagan nito ang mas malaking halaga ng kasalukuyang, at nagpapatakbo ng mas mabilis. Bukod pa rito, mas madaling mapabuti ang NPN mula sa silikon.
Sa NPN transistor, kung ang emitter ay may mas mababang boltahe kaysa sa isa sa base, ang kasalukuyang ay dumadaloy mula sa kolektor sa emitter. May isang maliit na halaga ng kasalukuyang na din daloy mula sa base sa emitter. Ang kasalukuyang daloy sa pamamagitan ng transistor (mula sa kolektor hanggang emitter) ay kinokontrol ng boltahe sa base.
Ang 'base', o ang gitnang layer ng transistor ng NPN, ay isang semiconductor P, na di-gaanong doped. Ito ay sandwiched sa pagitan ng dalawang N layer, kung saan ang N na kolektor ng uri sa transistor ay mabigat doped. Sa PNP, ang transistor ay 'on' kapag ang base ay nakababa, kamag-anak sa emitter, o sa ibang mga termino, ang maliit na kasalukuyang umaalis sa base sa common-emitter mode ay amplified sa output ng kolektor.
Buod:
1. Ang NPN ay may mas mataas na kakayahang kumilos sa elektron kaysa sa PNP. Samakatuwid, ang mga bipolar transistors ng NPN ay kadalasang mas napaboran kaysa sa mga transistors ng PNP.
2. Ang NPN ay mas madaling lumikha mula sa silikon kaysa sa PNP.
3. Ang pangunahing pagkakaiba ng NPN at PNP ay ang base. Isa lamang ang kabaligtaran ng isa.
4. Sa NPN, isang semiconductor P-dope ang base, habang kasama ang PNP, ang 'base' ay isang N-dope semiconductor.
